중국 CXMT, 차세대 D램 ‘4F²’ 적용 서버용 제품 연말 출시 [사진=시사큐브, AI활용]
중국 CXMT, 차세대 D램 ‘4F²’ 적용 서버용 제품 연말 출시 [사진=시사큐브, AI활용]

중국 반도체 자립의 핵심으로 꼽히는 창신메모리(CXMT)가 D램 메모리 기술에서 새로운 진전을 이뤘다며 올해 안에 차세대 서버용 메모리 제품을 출시하겠다고 공식화했다. 12일(현지시간) 제일재경과 과창판일보 등 현지 매체에 따르면, 차오칸위 CXMT 총재는 최근 행사에서 D램 아키텍처 ‘4F²’를 적용한 차세대 서버용 메모리 제품 ‘DDR5 RDIMM’을 연말까지 선보일 계획이라고 밝혔다.

CXMT 측은 이번에 도입하는 4F² 아키텍처가 D램 트랜지스터 배열상의 혁신을 이룬 기술이라고 설명했다. 자체 개발한 ‘VSG’ 트랜지스터가 채널을 수직으로 둘러싸는 방식을 통해 누설 전류 등의 문제를 개선하고 메모리 집적도를 높였다는 것이다. 반도체 업계에서 웨이퍼 제조 공정의 최소 선폭 간격을 ‘F’로 지칭할 때, 4F²은 메모리 1개 단위의 크기가 ‘F 제곱의 4배’임을 뜻한다. 현재 D램 업계 주류인 6F² 아키텍처에서 4F²로 발전할 경우 단위 면적당 트랜지스터 숫자가 늘어나며 집적도가 향상된다.

지금까지 글로벌 서버용 메모리 시장은 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 소수 선두 기업들이 우위를 점해왔고, CXMT는 주로 가전제품용 메모리에 집중해왔다. 그러나 이번 서버용 제품 출시 예고는 CXMT가 고부가가치 서버용 메모리 시장으로 본격적인 영역 확장을 시도하고 있음을 보여준다. 상하이교통대학 컴퓨터법학·인공지능(AI)윤리 연구센터의 톈펑 연석주임은 글로벌타임스 인터뷰에서 “세계 3대 메모리 제조사들이 자체적으로 4F²이나 유사한 3차원(3D) D램 로드맵을 추진 중이지만 아직 대규모 상업화에 이르지 못했다”며, CXMT가 이 기술을 선제적으로 상용화할 경우 차세대 메모리 경쟁에서 입지를 다질 수 있다고 분석했다.

국내 기업들도 차세대 4F² 구조 도입을 준비하고 있다. 앞서 트렌드포스 뉴스는 국내 매체 디일렉을 인용해 삼성전자가 지난 3월 10나노(nm) 이하 ‘10a’ D램 공정 웨이퍼 제작에 4F² 구조를 처음 적용했다고 보도한 바 있다. 삼성전자는 연내 10a D램 개발을 완료하고 내년 품질 테스트를 거쳐 2028년 양산을 목표로 하고 있으며, SK하이닉스 역시 지난해 4F² 관련 로드맵을 공개한 바 있다.

한편 CXMT는 지난 7월 기업공개(IPO)를 통해 최대 666억 1천만 위안(약 13조 2천억 원)을 조달하며 상장 첫날 주가 급등과 함께 중국 본토 증시 시가총액 1위에 오른 바 있다. 이어 지난 8학 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화하고, 지난달에는 5세대 D램 공정 양산 돌입을 밝히는 등 기술 추격 속도를 높이고 있다. 업계는 이번 CXMT의 차세대 서버용 D램 출시 계획이 글로벌 메모리 반도체 시장의 경쟁 구도에 어떤 영향을 미칠지 예의주시하고 있다.